유 다희 YOO DAHUI

SiC 전력반도체 고장모드 분석과 특성 분석 노하우가 있고, 직접 구축한 경험이 있는 지원자 유다희 입니다. 앞으로 SK키파운드리에서 고신뢰성 SiC 전력반도체 소자를 만들고 싶습니다.

1. 졸업논문 

신뢰성 실험 이후 4H-SiC 전력용 모스펫의 4H-SiC/SiO2계면 열화와 문턱 전압 변화

유다희. (2024). 신뢰성 실험 이후 4H-SiC 전력용 모스펫의 4H-SiC/SiO2계면 열화와 문턱 전압 변화 [석사학위논문, 부산대학교]. https://www.riss.kr/link?id=T17012114

2. SCI /해외 학술대회 논문 

• (곧 발표 예정) Device Level Degradation Due to Power Cycling Test in SiC Power Module, PCIM 2025
• Yoo, D.; Kim, M.; Kang, I.; Lee, H.-J. 4H-SiC/SiO2 Interface Degradation in 1.2 kV 4H-SiC MOSFETs Due to Power Cycling Tests. Electronics 2024, 13, 1267. https://doi.org/10.3390/electronics13071267
• Power Cycling Test Failure Analysis of SiC MOSFET Devices, Mijin KIM et al 2022 ECS Trans. 108 69DOI 10.1149/10806.0069ecst

3.국내논문

• 유다희, 김범진, 김태현, 김기현, 김종현, 강인호. (2024-07-10). 파워사이클링 테스트를 이용한 상용 SiC 파워모듈의 수명모델 및 실패모드 분석. 대한전기학회 학술대회 논문집, 제주.
• 김미진, 유다희, 이호준. (2023). Power Cycling Test를 통한 4H-SiC MOSFETs의 계면 열화 분석. 전기학회논문지, 72(2), 207-211. 10.5370/KIEE.2023.72.2.207
• 김채윤, 윤효원, 박영은, 강규혁, 김광재, 정지훈, 장민석, 유다희, 이호준, 김동석, 석오균. (2022-05-26). SiC MOSFET 감마선 조사 영향성 분석. 대한전기학회 학술대회 논문집, 경북.

4. 발표 논문, 포스터 모음 드라이브 링크

https://drive.google.com/drive/folders/1akAahCcV6a_OjUbeeOoVMiT1O-2g2gXC?usp=sharing

태양광 인버터용 650V급 Diode 내장형 초박막 IGBT 기술 개발 

이 프로젝트는 다이오드 내장형 650V급 RC-IGBT를 개발하는 연구과제 입니다. 해당 연구 과제에서 650V급 웨이퍼 상태 RC-IGBT 특성을 측정하고 고온 바이어스 방치 테스트를 수행했다.

파운드리향 SiC MOSFET 8인치 양산공정기반구축 

이 프로젝트는 1200V, 50A급 SiC Planar MOSFET 소자 및 공정을 개발하고, 8인치 양산 공정 개발 및 최적화, 파운드리 process design kit를 확보하는 목표를 가진 과제 이다.해당 과제에서 지원자 본인은 공정이 진행된 반도체 웨이퍼의 shot 여부, 특성을 측정하고 평가하는 작업에 참여 하였다.

차세대전력반도체 소자제조 전문인력양성 

이 프로젝트는 한국반도체연구조합에서 전력반도체 소자 제조 전문 인력 양성을 하기 위해 교육과정, 산학프로젝트 등을 운영하는 과제이다.

이 과제에서 전력반도체 전문 인력이 되기 위한 수혜 학생으로 참여하고 있다. 전력반도체 소자 설계 전문 인력이 되기 위한 교육 과정들을 이수하고, 파워 마스터 반도체와 산학 협력 프로젝트를 진행 하고 있다. Power Cycling Testfh dlsgks 4H-SiC Power MOSFET의 계면 변화에 대한 주제로 산학 프로젝트 결과물을 만들어 내었고, 이 성과가 인정 받아 한국반도체연구조합 이사장 상을 받았다.

파워반도체 산업 육성을 위한 신뢰성 평가인증센터

이 프로젝트는 기장 파워반도체 상용화센터를 전력반도체 신뢰성 평가 인증 센터로 만들기 위한 프로젝트였다.

이 과제를 통해 기장 파워반도체 상용화 센터에 설치된 PCT(Power Cycling Test) 장비를 실제로 가동해 보고, 4H-SiC 전력반도체 소자의 수명을 계산해 보았다. 전력반도체 소자의 고장 모드를 분석에 자주 활용되는 OKOS SAM 장비를 활용하여 PCT의 고장 모드 분석도 동시에 수행 하였다.

OPIc 중국어 IH